CMOS數(shù)字隔離器大大優(yōu)于其他隔離技術(shù)。立缸式液壓升降平臺例如，就電磁場性能而言。Si84xx隔離器具有市場在售的數(shù)字隔離元器件中zui高的EMI耐受性 >300V/m電場抗擾度，和>1000A /m磁場抗擾度）這些數(shù)字隔離器通過使用差分信號在隔離柵中進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，立缸式液壓升降平臺成對的窄通帶濾波提供了的共模噪聲抑制能力，

但變壓器一般應(yīng)避免使用，立缸式液壓升降平臺智能電表應(yīng)用中所使用的另一種隔離解決方案是隔離變壓器。因?yàn)樗菀资艿诫姶鸥蓴_（EMI而破壞數(shù)據(jù)。立缸式液壓升降平臺脈沖變壓器也不理想，因?yàn)槠湫枰加幂^寬帶寬，而帶寬對于數(shù)字信號傳輸是極為重要的

電表被安裝到電磁噪聲復(fù)雜的地點(diǎn)的概率較高。立缸式液壓升降平臺其次，有兩大原因使得電磁場（EM抑制力成為電表設(shè)計(jì)主要關(guān)注對象。首先。一些隔離技術(shù)可能是電表系統(tǒng)應(yīng)用中zui薄弱的環(huán)節(jié)。例如，立缸式液壓升降平臺應(yīng)用一個外部磁場到基于變壓器的系統(tǒng)將對數(shù)據(jù)的完整性發(fā)生不良影響，事實(shí)上也出現(xiàn)過客戶通過施加強(qiáng)磁鐵或線圈到儀器而中斷立缸式液壓升降平臺了電表正常工作的案例。這兩種情況下，外部磁場或電磁場噪聲將導(dǎo)致錯誤測量數(shù)據(jù)提交到控制器。

基于CMOS數(shù)字隔離器提供相當(dāng)高的CMTI性能立缸式液壓升降平臺，現(xiàn)代CMOS數(shù)字隔離器克服了智能電表應(yīng)用中的這些問題。立缸式液壓升降平臺與光耦合器相比。同時保證了更長的工作壽命和高可靠性立缸式液壓升降平臺。例如，SiliconLab公司的Si84xxCMOS數(shù)字隔離器系列滿足通用CMTI規(guī)格25kV/μs新一代隔離元器件預(yù)計(jì)將比現(xiàn)有產(chǎn)品的性能水平提高兩倍。

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